王中王铁算盘四肖中特

2018另萄京賭俠詩

家電維修論壇

下載方法|用單線程|避免多扣帖子規範|求助必讀|發帖建議積分策略|勳章介紹|新人必讀獲取金幣|推廣論壇|出售帖子基本禮節|致會員信|版規總則
禁涉政治|反對低俗|舉報專帖征集相片|留下足跡|推薦精華上傳附件|製作分卷|使用網盤禁發qq群|惡意灌水|純表情帖加入團隊|監督機製|安全上網

NorFlash、NandFlash、eMMC閃存的比較與區別

2018-8-27 19:53| 發布者: admin| 查看: 1307| 評論: 0

快閃存儲器(英語:Flash Memory),是一種電子式可清除程序化隻讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲,以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據,如儲存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲器,所以單就保存數據而言, 它是不需要消耗電力的。

與硬盤相比,閃存也有更佳的動態抗震性。這些特性正是閃存被移動設備廣泛采用的原因。閃存還有一項特性:當它被製成儲存卡時非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢於讀取速度。

NorFlash
NOR Flash需要很長的時間進行抹寫,但是它提供完整的尋址與數據總線,並允許隨機存取存儲器上的任何區域,這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當時ROM芯片主要用來存儲幾乎不需更新的代碼,例如電腦的BIOS或機上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環,它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的,雖然它之後跳槽到成本較低的 NAND Flash。


NandFlash
NAND Flash式東芝在1989年的國際固態電路研討會(ISSCC)上發表的, 要在NandFlash上麵讀寫數據,要外部加主控和電路設計。NAND Flash具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的麵積也較小,這讓NAND Flash相較於NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口並沒有隨機存取外部地址總線,它必須以區塊性的方式進行讀取,NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千比特。


因為多數微處理器與微控製器要求字節等級的隨機存取,所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來,NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設備。NAND Flash非常適合用於儲存卡之類的大量存儲設備。第一款創建在NAND Flash基礎上的可移除式存儲媒體是SmartMedia,此後許多存儲媒體也跟著采用NAND Flash,包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。

emmc存儲器eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協會所訂立的,eMMC 相當於 NandFlash+主控IC ,對外的接口協議與SD、TF卡一樣,主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控製器,它提供標準接口並管理閃存,使得手機廠商就能專注於產品開發的其它部分,並縮短向市場推出產品的時間。這些特點對於希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說,同樣的重要。

eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成,帶有MMC(多媒體卡)接口、快閃存儲器設備(Nand Flash)及主控製器,所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes,eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是 1.8V或者是 3.3V。

最新評論

手機版|APP|家電維修技術論壇 ( 鄂ICP備09003585號-1 )

GMT+8, 2019-2-22 22:00 , Processed in 0.074439 second(s), 10 queries , Gzip On, MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2018 Comsenz Inc.

CopyRight © 家電維修論壇
電子郵箱:admin@homejdwx.com | 聯係 QQ:3081868839 | 官方網址:www.homejdwx.com

王中王鐵算盤四肖中特. All Rights Reserved


服務條款 | 隱私聲明

Wuhan Qiji Technology Co., Ltd.武漢奇跡科技有限公司版權所有


鄂ICP備09003585號-1鄂公網安備42010602000420號

返回頂部